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IXFH42N50P2
IXFT42N50P2
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
TO-247 Outline
g fs
C iss
V DS = 20V, I D = 0.5 ? I D25 , Note 1
23
36
5300
S
pF
C oss
V GS = 0V, V DS = 25V, f = 1MHz
555
pF
1
2
3
?P
C rss
43
pF
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Resistive Switching Times
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
R G = 3 Ω (External)
23
12
42
9
ns
ns
ns
ns
Terminals: 1 - Gate
e
2 - Drain
Q g(on)
92
nC
3 - Source
Q gs
Q gd
R thJC
R thCS
V GS = 10V, V DS = 0.5 ? V DSS , I D = 0.5 ? I D25
26
36
0.21
nC
nC
0.15 ° C/W
° C/W
Dim. Millimeter
Min. Max.
A 4.7 5.3
A 1 2.2 2.54
A 2 2.2 2.6
b 1.0 1.4
b 1 1.65 2.13
b 2 2.87 3.12
Inches
Min. Max.
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
Source-Drain Diode
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
.610 .640
0.205 0.225
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C Unless Otherwise Specified)
I S V GS = 0V
I SM Repetitive, Pulse Width Limited by T JM
V SD I F = I S , V GS = 0V, Note 1
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
42
168
1.3
A
A
V
L 19.81 20.32
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
S 6.15 BSC
TO-268 Outline
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
t rr
I RM
Q RM
Note
I F = 21A, -di/dt = 100A/ μ s
V R = 85V, V GS = 0V
1. Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle, d ≤ 2%.
12
1.05
250
ns
A
μ C
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
4 - Drain
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered
4,835,592
4,931,844
5,049,961
5,237,481
6,162,665
6,404,065 B1
6,683,344 6,727,585 7,005,734 B2
7,157,338B2
by one or more of the following U.S. patents: 4,850,072
5,017,508
5,063,307
5,381,025
6,259,123 B1
6,534,343
6,710,405 B2 6,759,692 7,063,975 B2
4,881,106
5,034,796
5,187,117
5,486,715
6,306,728 B1
6,583,505
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
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